HBM，或被这种内存取代

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美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM，以替代高带宽存储器。据《日经亚洲》报道，这两家行业巨头联合成立了一家名为 Saimemory 的公司，致力于基于英特尔的技术与东京大学等日本高校的专利，共同打造原型芯片。该公司计划于 2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在 2030年前实现商业化。

目前，大多数AI处理器使用HBM芯片，这类高带宽存储器适合临时存储AI GPU处理的海量数据。然而，HBM制造工艺复杂、成本较高，而且容易发热、功耗也偏高。英特尔与软银的合作旨在通过堆叠DRAM芯片并改进其内部布线方式，来解决这些问题。通过这种方式，他们预计这种新型堆叠DRAM芯片的功耗将比同类HBM芯片减少一半。

如果项目进展顺利，软银表示希望优先获得这种芯片的供应。当前，全球仅有三星、SK海力士和美光三家公司能够量产最新一代HBM芯片。随着AI芯片需求的激增，HBM供不应求的情况日益严重，因此Saimemory希望借助这一替代方案抢占日本数据中心市场，甚至进一步扩展其影响力。这也标志着日本时隔二十多年后，首次试图重返主流存储芯片供应商行列。

在1980年代，日本企业曾占据全球约70%的存储芯片市场份额，是当时的行业霸主。然而，随着韩国和台湾地区厂商的崛起，日本多数存储芯片企业逐渐退出了市场。

不过，Saimemory并非第一家探索3D堆叠式DRAM的企业。三星早在去年就宣布了开发3D DRAM和堆叠式DRAM的计划；而NEO Semiconductor也正在推进其名为3D X-DRAM的产品研发。不过，这些项目的重点在于提升单芯片容量，目标是实现每个内存模块高达512GB的容量。相比之下，Saimemory的核心目标是降低功耗——这是当前数据中心最为迫切的需求，尤其是在AI计算功耗逐年飙升的背景下。

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